Descripción
- Transistor Darlington NPN de propósito general
- IC máx.: 5A
- IC pico máx.: 8A
- IB máx.: 0.12A
- PTOT: 65W
- VCEO: 100V
- VCBO: 100V
- VEBO: 5V
- hFE min: 1000 (@ IC=3 A, VCE=3 V)
- Diodo damper entre colector y emisor
- Bajo voltaje de saturación colector-emisor
- Encapsulado: TO-220








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